仿真
直流压降与热分析
在几秒内求解每个铜层的电压降和电流密度,然后根据每个元件的功率求解电路板温度。
直流压降和热仿真回答了每条电源路径提出的两个问题:负载是否看到了所需的电压,以及电路板有多热。两者都在几秒内完成,因此请随意运行,在每次触及电源路径的布局更改后运行。
直流压降
name = "lna-dc"
kind = "dc"
layout = "lna"
cell = 0.05
[[supplies]]
pad = "D2.1"
voltage = "4.7V"
[[supplies]]
pad = "J3.2"
voltage = "0V"
[[loads]]
pad = "U1.3"
current = "90mA"
return = "U1.2"
[[links]]
ref = "L1"
resistance = "0.6ohm"求解器将每一层的铜皮视为电阻片,将过孔视为跨越层之间的镀铜管,将电源焊盘保持在其电压,并在其焊盘处提取每个负载的电流,通过其 return 返回。它通过稀疏 Cholesky 分解以双精度求解整个电路板。
元件通过 [[links]] 承载直流。电阻器从原理图获取其值;电感器和铁氧体磁珠默认为 0.1 欧姆,因此请如上所述为扼流圈提供数据手册中的直流电阻。除非链接,否则其他元件视为开路。除非 a 和 b 指定其他焊盘,否则链接连接焊盘 1 和 2,因此负载开关为 { ref = "U5", resistance = "80mohm", a = "1", b = "6" }。
agentee sim lna-dc
agentee show sim:lna-dcsupply D2.1 4.7 V sources 90.00 mA
load U1.3 4.645 V 90 mA, pad 4.6453 V, return 0.0000 V
peak current density 13.892 A/mm2 F.Cu at [16.15, 12.10]
via [12.55, 11.00] 5.575 mA busiest vias该运行耗时两秒。地图显示每个铜岛从其电源的压降(以毫伏计)、电流密度(以 A/mm2 计)和电压。查看密度地图以寻找瓶颈:被两个焊盘挤压的铺铜,或承载电源轨的单个过孔。

热分析
name = "lna-thermal"
kind = "thermal"
layout = "lna"
cell = 0.2
ambient = 25.0
[[sources]]
ref = "U1"
power = "0.45W"
theta_jc = 65.0
pads = ["2"]
[[sources]]
ref = "D2"
power = "30mW"通过 FR4(面内 0.8 W/mK,垂直 0.3 W/mK)、铜片和过孔管的稳态传导,加上两个面的对流,在 GPU 上通过预条件共轭梯度法求解。源通过其焊盘将功率输入电路板,或者仅通过您命名的 pads,例如稳压器的散热片。theta_jc 在焊盘温度之上添加结温估计。
board peak 60.2 C F.Cu at [13.00, 11.60]
U1 pads 60.2 C 0.45 W
U1 junction 89.4 C pads + 0.45 W x 65 C/W
D2 pads 57.4 C 0.03 W
建模外壳
h_top 和 h_bottom 是每个面的对流系数,单位为 W/m2K:10 是静止空气,25 及以上是有风扇。通过间隙垫压在散热器或底板上的面是一个大得多的数字。LNA 的第二次热仿真将整个底面通过 1 毫米、3 W/mK 的间隙垫压在 70 C 的底板上:
name = "lna-thermal-chassis"
kind = "thermal"
layout = "lna"
ambient = 70.0
h_bottom = 3000.0board peak 76.8 C
U1 pads 76.8 C 0.45 W
U1 junction 106.0 CSPF5189Z 的引脚温度额定值为 85 C,因此这次运行说明了设计在其外壳中是否可行。将该推理写入仿真的 description,如示例所示:下一个人,或下一个智能体会话,会在那里阅读它。
何时运行
- 在放置稳压器、放大器或任何超过四分之一瓦特的元件后。放置器读取布局的热仿真,并保持其源之间相距 0.25 瓦特及以上。
- 在布线电源轨后,以在瓶颈变成热点之前捕获它。
- 在订购前,使用真实的外壳。
当规格或铜皮更改时,结果会过时,检查会说明这一点。