Simulation FDTD

Une simulation FDTD à ondes complètes d'un routage sur GPU (wgpu), donnant les paramètres S entre des ports placés sur des pastilles. agentee sim NAME l'exécute et écrit NAME.result.json et un fichier Touchstone NAME.sNp à côté de la spécification ; le visualiseur et render affichent ensuite le diagramme d'amplitude et un diagramme de Smith.

name = "lna-rf"
layout = "lna"
cell = 0.05                    # finest mesh cell in mm, default 0.05; the mesh grades out from copper edges
excite = ["IN", "AMP_OUT"]     # ports to drive, one run each; default all
# region = [0, 0, 30, 20]      # crop to x0, y0, x1, y1 in mm, default the board
# max_steps = 150000
# end_db = 50                  # stop once the field energy is this far under its peak, as openEMS does

[frequency]
start = "100MHz"
stop = "4GHz"
points = 391

[[ports]]
name = "IN"
pad = "J1.1"                   # a lumped port over the whole pad, down to the next copper layer
reference = "In2.Cu"           # or name the layer it returns on, e.g. past a cutout
# impedance = 50

[[models]]                     # C, L and R parts take their schematic value by default
ref = "D3"
capacitor = "0.23pF"           # or inductor = "47nH", resistor = "1k", open = true

Le cuivre est modélisé sous forme de feuilles d'épaisseur nulle sur chaque couche de cuivre (pastilles, pistes, vias sous forme de colonnes métallisées, zones de cuivre avec leurs écarts), les diélectriques proviennent de l'empilement de la carte avec leur tangente de perte, et les frontières sont CPML. Les composants autres que les ports et les modèles condensés sont ouverts. Validé sur une microstrip de 50 ohms : perte de retour inférieure à -25 dB, perte d'insertion inférieure à 0,2 dB, et vitesse de phase dans les 1,2 % de Kirschning-Jansen.