Simulação FDTD - referência do agentee

Uma execução FDTD de onda completa de um layout na GPU com portas lumped em pads, dando parâmetros S em JSON e Touchstone.

Uma simulação FDTD de onda completa de um layout na GPU (wgpu), que fornece parâmetros S entre portas colocadas em pads. agentee sim NAME executa-a e escreve NAME.result.json e um Touchstone NAME.sNp junto à especificação; o visualizador e render mostram então o gráfico de magnitude e um diagrama de Smith.

name = "lna-rf"
layout = "lna"
cell = 0.05                    # finest mesh cell in mm, default 0.05; the mesh grades out from copper edges
excite = ["IN", "AMP_OUT"]     # ports to drive, one run each; default all
# region = [0, 0, 30, 20]      # crop to x0, y0, x1, y1 in mm, default the board
# max_steps = 150000
# end_db = 50                  # stop once the field energy is this far under its peak, as openEMS does

[frequency]
start = "100MHz"
stop = "4GHz"
points = 391

[[ports]]
name = "IN"
pad = "J1.1"                   # a lumped port over the whole pad, down to the next copper layer
reference = "In2.Cu"           # or name the layer it returns on, e.g. past a cutout
# impedance = 50

[[models]]                     # C, L and R parts take their schematic value by default
ref = "D3"
capacitor = "0.23pF"           # or inductor = "47nH", resistor = "1k", open = true

O cobre é modelado como folhas de espessura nula em cada camada de cobre (pads, pistas, vias como colunas com revestimento, áreas de cobre com os respetivos afastamentos), os dielétricos provêm do stackup da placa com o respetivo tangente de perdas, e as fronteiras são CPML. As partes que não são portas nem modelos concentrados ficam abertas. Validado num microstrip de 50 ohm: perda de retorno inferior a -25 dB, perda de inserção inferior a 0,2 dB e velocidade de fase dentro de 1,2% de Kirschning-Jansen.