Симуляция FDTD - справочник agentee

Полноволновая симуляция FDTD топологии на GPU с сосредоточенными портами на контактных площадках, выдача S-параметров в формате JSON и Touchstone.

Расчёт топологии полным волновым методом FDTD на GPU (wgpu), дающий S-параметры между портами, размещёнными на площадках. agentee sim NAME запускает расчёт и записывает NAME.result.json и файл Touchstone NAME.sNp рядом со спецификацией; просмотрщик и render затем показывают график модуля и диаграмму Смита.

name = "lna-rf"
layout = "lna"
cell = 0.05                    # finest mesh cell in mm, default 0.05; the mesh grades out from copper edges
excite = ["IN", "AMP_OUT"]     # ports to drive, one run each; default all
# region = [0, 0, 30, 20]      # crop to x0, y0, x1, y1 in mm, default the board
# max_steps = 150000
# end_db = 50                  # stop once the field energy is this far under its peak, as openEMS does

[frequency]
start = "100MHz"
stop = "4GHz"
points = 391

[[ports]]
name = "IN"
pad = "J1.1"                   # a lumped port over the whole pad, down to the next copper layer
reference = "In2.Cu"           # or name the layer it returns on, e.g. past a cutout
# impedance = 50

[[models]]                     # C, L and R parts take their schematic value by default
ref = "D3"
capacitor = "0.23pF"           # or inductor = "47nH", resistor = "1k", open = true

Медь моделируется как листы нулевой толщины на каждом медном слое (контактные площадки, проводники, переходные отверстия как гальванически покрытые столбики, полигоны с их зазорами), диэлектрики берутся из стека слоёв платы с их тангенсом угла потерь, границы, CPML. Все элементы, кроме портов и сосредоточенных моделей, открыты. Проверено на 50-омной микрополосковой линии: коэффициент отражения ниже -25 дБ, вносимые потери ниже 0,2 дБ, фазовая скорость в пределах 1,2% от расчёта по Киршнингу-Янсону.

Моделирование методом FDTD