FDTD-Simulation - agentee Referenz

Eine volle FDTD-Laufzeit eines Layouts auf der GPU mit lumpierten Ports an Pads, die S-Parameter als JSON und Touchstone liefern.

Eine Full-Wave-FDTD-Simulation eines Layouts auf der GPU (wgpu), die S-Parameter zwischen auf Pads platzierten Ports liefert. agentee sim NAME führt sie aus und schreibt NAME.result.json und eine Touchstone-Datei NAME.sNp neben die Spezifikation; der Viewer und render zeigen dann den Betragsplot und ein Smith-Diagramm.

name = "lna-rf"
layout = "lna"
cell = 0.05                    # finest mesh cell in mm, default 0.05; the mesh grades out from copper edges
excite = ["IN", "AMP_OUT"]     # ports to drive, one run each; default all
# region = [0, 0, 30, 20]      # crop to x0, y0, x1, y1 in mm, default the board
# max_steps = 150000
# end_db = 50                  # stop once the field energy is this far under its peak, as openEMS does

[frequency]
start = "100MHz"
stop = "4GHz"
points = 391

[[ports]]
name = "IN"
pad = "J1.1"                   # a lumped port over the whole pad, down to the next copper layer
reference = "In2.Cu"           # or name the layer it returns on, e.g. past a cutout
# impedance = 50

[[models]]                     # C, L and R parts take their schematic value by default
ref = "D3"
capacitor = "0.23pF"           # or inductor = "47nH", resistor = "1k", open = true

Kupfer wird als Schichten mit Null Dicke auf jeder Kupferebene modelliert (Pads, Leiterbahnen, Vias als verzinnte Säulen, Kupferflächen mit ihren Abständen), Dielektrika aus dem Lagenaufbau der Platine mit ihrem Verlusttangenten und CPML-Grenzen. Bauteile außer Ports und Lumped-Modellen sind offen. Validiert an einem 50-Ohm-Mikrostrip: Rückflussdämpfung unter -25 dB, Einfügdämpfung unter 0,2 dB und Phasengeschwindigkeit innerhalb von 1,2 % von Kirschning-Jansen.