Symulacja FDTD - referencja agentee

Pełnofalowa symulacja FDTD projektu PCB na GPU z portami skupionymi na padach, zwracająca parametry S jako JSON i Touchstone.

Symulacja FDTD pełnofalowa projektu PCB na GPU (wgpu), dająca parametry S między portami umieszczonymi na padach. agentee sim NAME ją uruchamia i zapisuje NAME.result.json oraz Touchstone NAME.sNp obok specyfikacji; podgląd i render pokazują wtedy wykres amplitudy i wykres Smitha.

name = "lna-rf"
layout = "lna"
cell = 0.05                    # finest mesh cell in mm, default 0.05; the mesh grades out from copper edges
excite = ["IN", "AMP_OUT"]     # ports to drive, one run each; default all
# region = [0, 0, 30, 20]      # crop to x0, y0, x1, y1 in mm, default the board
# max_steps = 150000
# end_db = 50                  # stop once the field energy is this far under its peak, as openEMS does

[frequency]
start = "100MHz"
stop = "4GHz"
points = 391

[[ports]]
name = "IN"
pad = "J1.1"                   # a lumped port over the whole pad, down to the next copper layer
reference = "In2.Cu"           # or name the layer it returns on, e.g. past a cutout
# impedance = 50

[[models]]                     # C, L and R parts take their schematic value by default
ref = "D3"
capacitor = "0.23pF"           # or inductor = "47nH", resistor = "1k", open = true

Miedź jest modelowany jako arkusze o zerowej grubości na każdej warstwie miedzi (pady, ścieżki, przelotki jako kolumny z powłoką, wylewki z odstępami), dielektryki pochodzą ze stackupu płytki wraz z ich tangensem strat, a granice to CPML. Elementy inne niż porty i modele skupione są otwarte. Zweryfikowano na mikropasku 50 omów: straty zwrotne poniżej -25 dB, straty wstawienia poniżej 0,2 dB oraz prędkość fazowa w granicach 1,2% od Kirschning-Jansen.