压合

层压是构建顺序：板厂在每次压制之间执行的钻孔步骤，按构建顺序排列，每个步骤是一个铜层跨度和一种钻孔类型（mechanical、laser 或 controlled_depth）。只有当过孔的跨度和钻孔类型与某个步骤匹配时，该过孔才可钻孔（stacked 微过孔：当堆叠中的每一跳都是激光步骤时）。布局放置的过孔类型由布局的 via-lamination 规则报告一次，该规则统计其过孔数量并指明要修复的电路板条目（vias[i]）；检查报告布局未放置的过孔类型作为电路板错误。布线器保留此类网络类的过孔。每个步骤列出层压钻孔的跨度。

如果没有 lamination，序列来自叠层。每侧的构建层是第一个芯板之前的外侧仅含半固化片的介质层，按侧计数，因此构建可以不对称（1+4+2）；中间的 N 层是芯板子叠层，从其芯板和半固化片一次压制而成。步骤是：

1. 子叠层的每个芯板，在其压制前机械钻孔（一个芯板中的埋孔）；
2. 子叠层，在其压制后机械钻孔；
3. 对于构建层的每次压制，由内向外：从每个新外层到其下层的一个激光步骤（以及跨越两个介质层，从该侧第二个构建层开始的跳孔），然后穿过所有已压制部分的一个机械步骤；最后一个是通孔钻孔。构建层较少的一侧加入较后的压制，因此两个外层箔在最后一次压制中放置：在 1+4+2 上，第一次压制单独在 B.Cu 下添加 In5.Cu，第二次添加 F.Cu 和 B.Cu；
4. 在最后一次压合后，从 F.Cu 和 B.Cu 到每个内层的受控深度。

在 hdi-6l-1n1 (1+4+1) 中，这是 In1.Cu-In2.Cu 和 In3.Cu-In4.Cu (芯板)，In1.Cu-In4.Cu (埋入式，子叠层)，激光 F.Cu-In1.Cu 和 In4.Cu-B.Cu，通孔钻孔 F.Cu-B.Cu，以及受控深度跨度。在 hdi-8l-2n2 (2+4+2) 中，第一次构建添加激光 In1.Cu-In2.Cu 和 In5.Cu-In6.Cu 以及埋入式 In1.Cu-In6.Cu，第二次激光 F.Cu-In1.Cu、In6.Cu-B.Cu 和跳孔 F.Cu-In2.Cu 和 In5.Cu-B.Cu，因此堆叠微孔 F.Cu-In2.Cu 需要两次激光步骤，而在 hdi-6l-1n1 上 F.Cu-In2.Cu 会穿过其第一个芯板。没有芯板或芯板位于最外层的叠层只需一次压合：其子叠层就是整个电路板。板厂是堆叠微孔还是交错微孔，由 stacked_microvias 决定。

lamination 列出步骤，用于构建叠层未显示的子叠层 (例如先在一侧压合的子叠层，或进入芯板的激光步骤)：

[stackup]
preset = "hdi-6l-1n1"
lamination = [
  { from = "In1.Cu", to = "In4.Cu", drill_kind = "mechanical" },
  { from = "F.Cu", to = "In4.Cu", drill_kind = "mechanical" },   # F.Cu to In4.Cu pressed first
  { from = "F.Cu", to = "B.Cu", drill_kind = "mechanical" },
]

from 在 to 上方，受控深度步骤从一个外层运行到一个内层。步骤按构建顺序排列，且堆叠只能由内向外构建：如果 stacked 微孔类型的外跳在比其下方跳孔更早的步骤中钻孔，则为错误，stacked-via 报告同一位置的两个过孔，其中堆叠下方的过孔在上方过孔之后钻孔 (参见过孔类型)。派生序列始终按构建顺序排列。