仿真
场分布与辐射
第一层预浸料和远场中的 E 和 H 场图，带有辐射功率以及 3 米处的场强，对照 FCC B 类标准。
FDTD 仿真还可以记录前两层铜之间预浸层中的场以及远场，每个激励端口最多四个频率。
fields = ["1090MHz", "2.4GHz"]
far_field = true场图：E (dBV/m) 和 H (dBA/m)，对应 1 mW 入射到端口，深度 60 dB。远场来自紧贴吸收边界内侧的盒子上的近场到远场变换。读数：辐射功率占输入的比例、方向性，以及 1 mW 输入下 3 m 处的峰值场，对照 FCC B 类。端口是焊盘上的匹配负载，因此电缆和连接器不是辐射体的一部分。